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6085611RS1G-E3/5AT-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

RS1G-E3/5AT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1G-E3/5AT
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RS1G-E3/5AT.pdf
    2.RS1G-E3/5AT.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    RS1G-E3/5ATGIDKR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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RS1G-13

RS1G-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1G R3G

RS1G R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1GB-13

RS1GB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1G300GNTB

RS1G300GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1G M2G

RS1G M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1G/1

RS1G/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS1G

RS1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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