SI1012X-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI1012X-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI1012X-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±6V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SC-89-3
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

250mW (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-89, SOT-490
Andere Namen

SI1012X-T1-E3CT
SI1012XT1E3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 500mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

500mA (Ta)

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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