SI1013CX-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI1013CX-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI1013CX-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

760 mOhm @ 400mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

190mW (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SC-89, SOT-490
Andere Namen

SI1013CX-T1-GE3DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 450mA (Ta) 190mW (Ta) Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

450mA (Ta)

Das Folgende sind "SI1013CX-T1-GE3" -Einziper.

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