SI1013X-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI1013X-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI1013X-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±6V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SC-89-3
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

250mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-89, SOT-490
Andere Namen

SI1013X-T1-GE3TR
SI1013XT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 350mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

350mA (Ta)

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Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

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Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V SC89-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

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