SI2302ADS-T1

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Spezifikation

Artikelnummer

SI2302ADS-T1
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI2302ADS-T1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 50µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Verlustleistung (max)

700mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 2.1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.1A (Ta)

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Das Folgende sind "SI2302ADS-T1" -Einziper.

SI2303BDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2302ADS-T1

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