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SI2319DDS-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI2319DDS-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CHAN 40V
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI2319DDS-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    TrenchFET® Gen III
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    75 mOhm @ 2.7A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1W (Ta), 1.7W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    SI2319DDS-T1-GE3TR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    650pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 40V 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.7A (Ta), 3.6A (Tc)

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Das Folgende sind "SI2319DDS-T1-GE3" -Einziper.
SI2321DS-T1-E3

SI2321DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2323CDS-T1-GE3

SI2323CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2319DS-T1-E3

SI2319DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2321-TP

SI2321-TP

Beschreibung: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
SI2323DDS-T1-GE3

SI2323DDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2321DS-T1-GE3

SI2321DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2318DS-T1-GE3

SI2318DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2316DS-T1-GE3

SI2316DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2323DS-T1-E3

SI2323DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2316BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2323DS-T1

SI2323DS-T1

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI2319DS-T1-GE3

SI2319DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI2318DS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI2315BDS-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI2316BDS-T1-E3

SI2316BDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI2323DS-T1-GE3

SI2323DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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