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SI2321DS-T1-E3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI2321DS-T1-E3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    57 mOhm @ 3.3A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    710mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    715pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 20V 2.9A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.9A (Ta)
SI2319DS-T1-E3

SI2319DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2323CDS-T1-GE3

SI2323CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2325DS-T1-GE3

SI2325DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2318DS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2327DS-T1-E3

SI2327DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2323DS-T1-E3

SI2323DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2319DS-T1-GE3

SI2319DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2323DDS-T1-GE3

SI2323DDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2321DS-T1-GE3

SI2321DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2324DS-T1-GE3

SI2324DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2319DDS-T1-GE3

SI2319DDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 40V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2323DS-T1-GE3

SI2323DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2321-TP

SI2321-TP

Beschreibung: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2316DS-T1-GE3

SI2316DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2325DS-T1-E3

SI2325DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2318DS-T1-GE3

SI2318DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2323DS-T1

SI2323DS-T1

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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