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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SI2321DS-T1-GE3

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SI2321DS-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI2321DS-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI2321DS-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

57 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Verlustleistung (max)

710mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

715pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 2.9A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.9A (Ta)

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Das Folgende sind "SI2321DS-T1-GE3" -Einziper.

SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2327DS-T1-GE3

SI2327DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2318DS-T1-GE3

SI2318DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2323DS-T1

SI2323DS-T1

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2319DS-T1-GE3

SI2319DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2327DS-T1-E3

SI2327DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2323DS-T1-E3

SI2323DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2321DS-T1-E3

SI2321DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2323DS-T1-GE3

SI2323DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2325DS-T1-GE3

SI2325DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2318DS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2319DS-T1-E3

SI2319DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2323DDS-T1-GE3

SI2323DDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2321-TP

SI2321-TP

Beschreibung: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

SI2324DS-T1-GE3

SI2324DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2325DS-T1-E3

SI2325DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2323CDS-T1-GE3

SI2323CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2319DDS-T1-GE3

SI2319DDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 40V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2316DS-T1-GE3

SI2316DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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