SI2343DS-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI2343DS-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI2343DS-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

53 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)

750mW (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

SI2343DS-T1-GE3DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 3.1A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.1A (Ta)

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

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Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

Hersteller: Vishay Siliconix

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

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Beschreibung: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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