SI2371EDS-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI2371EDS-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI2371EDS-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 3.7A, 10V
Verlustleistung (max)

1W (Ta), 1.7W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

SI2371EDS-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 4.8A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.8A (Tc)

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Das Folgende sind "SI2371EDS-T1-GE3" -Einziper.

SI2400-KS

Beschreibung: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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