SI3850ADV-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI3850ADV-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI3850ADV-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

300 mOhm @ 500mA, 4.5V
Leistung - max

1.08W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

SI3850ADV-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V
Typ FET

N and P-Channel, Common Drain
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 1.4A, 960mA 1.08W Surface Mount 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.4A, 960mA
Basisteilenummer

SI3850

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Das Folgende sind "SI3850ADV-T1-GE3" -Einziper.

SI3861BDV-T1-E3

Beschreibung: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI3850ADV-T1-GE3

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