SI3851DV-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI3851DV-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI3851DV-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 1.8A, 10V
Verlustleistung (max)

830mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

SI3851DV-T1-E3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

21 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.6nC @ 5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 1.6A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.6A (Ta)

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Das Folgende sind "SI3851DV-T1-E3" -Einziper.

SI3831DV-T1-E3

Beschreibung: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI3851DV-T1-E3

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