SI4058DY-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4058DY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

SI4058DY-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOIC
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

5.6W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 10.3A (Tc) 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10.3A (Tc)

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Das Folgende sind "SI4058DY-T1-GE3" -Einziper.

SI4031-B1-FMR

Beschreibung: IC TX 240-930MHZ -8-13DB 20QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4058DY-T1-GE3

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