SI4062DY-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4062DY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4062DY-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

7.8W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4062DY-T1-GE3TR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3175pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 32.1A (Tc) 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

32.1A (Tc)

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SI4090DY-T1-GE3

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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