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SI4108DY-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4108DY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4108DY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.8 mOhm @ 13.8A, 10V
Verlustleistung (max)

3.6W (Ta), 7.8W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4108DY-T1-GE3DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 38V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

75V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 75V 20.5A (Tc) 3.6W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20.5A (Tc)

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Das Folgende sind "SI4108DY-T1-GE3" -Einziper.

SI4063-C2A-GMR

SI4063-C2A-GMR

Beschreibung: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4104DY-T1-GE3

SI4104DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4103DY-T1-GE3

SI4103DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4112-D-GMR

Beschreibung: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28MLP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4112-D-GM

Beschreibung: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4112-D-GTR

SI4112-D-GTR

Beschreibung: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4112-EVB

SI4112-EVB

Beschreibung: BOARD EVALUATION FOR SI4112

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4112-BT

SI4112-BT

Beschreibung: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4112-D-GT

SI4112-D-GT

Beschreibung: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4112M-EVB

SI4112M-EVB

Beschreibung: BOARD EVALUATION FOR SI4112

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4110DY-T1-GE3

SI4110DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4102DY-T1-E3

SI4102DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4113-BT

SI4113-BT

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4112-BM

SI4112-BM

Beschreibung: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4104DY-T1-E3

SI4104DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4102DY-T1-GE3

SI4102DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4090DY-T1-GE3

SI4090DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4100DY-T1-E3

SI4100DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4101DY-T1-GE3

SI4101DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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