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SI4100DY-T1-E3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI4100DY-T1-E3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI4100DY-T1-E3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    63 mOhm @ 4.4A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.5W (Ta), 6W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    SI4100DY-T1-E3CT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    33 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    600pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 6.8A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    6.8A (Tc)

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SI4103DY-T1-GE3

SI4103DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4063-B1B-FMR

SI4063-B1B-FMR

Beschreibung: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4063-C2A-GM

SI4063-C2A-GM

Beschreibung: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4090DY-T1-GE3

SI4090DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4104DY-T1-E3

SI4104DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4110DY-T1-GE3

SI4110DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4063-B1B-FM

SI4063-B1B-FM

Beschreibung: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4063-B0B-FM

SI4063-B0B-FM

Beschreibung: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4062DY-T1-GE3

SI4062DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4063-C2A-GMR

SI4063-C2A-GMR

Beschreibung: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4102DY-T1-GE3

SI4102DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4060-C2A-GM

SI4060-C2A-GM

Beschreibung: EZ RADIO PRO SUB GHZ TRANSMITTER

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4101DY-T1-GE3

SI4101DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4102DY-T1-E3

SI4102DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4104DY-T1-GE3

SI4104DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI4060-C2A-GMR

SI4060-C2A-GMR

Beschreibung: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4108DY-T1-GE3

SI4108DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4112-BM

SI4112-BM

Beschreibung: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4060-B1B-FMR

SI4060-B1B-FMR

Beschreibung: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
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