Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SI4825DY-T1-GE3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2326631

SI4825DY-T1-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI4825DY-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI4825DY-T1-GE3.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14 mOhm @ 11.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.5W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    SI4825DY-T1-GE3TR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    71nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 8.1A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8.1A (Ta)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kündigt 500 Entlassungen an, wobei die Umstruktu...

2024/12/4

Quanta: Die KI -Nachfrage ist weiterhin stark, mit einem st...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduziert die Verwendung von Photoresist in der 3D ...

2024/12/2

Vishay wird 51 Millionen Pfund in den erworbenen NWF Wafer ...

2024/11/29
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "SI4825DY-T1-GE3" -Einziper.
SI4827-A10-CSR

SI4827-A10-CSR

Beschreibung: IC RCVR AM/FM/SW MECH 16-SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4824-DEMO

SI4824-DEMO

Beschreibung: BOARD DEMO AM/FM/SW SI4820/24

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4829DY-T1-GE3

SI4829DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4824-A10-CU

SI4824-A10-CU

Beschreibung: IC RCVR AM/FM/SW MECH 24-SSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4829DY-T1-E3

SI4829DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4824-A10-CUR

SI4824-A10-CUR

Beschreibung: IC RCVR AM/FM/SW MECH 24-SSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4823DY-T1-GE3

SI4823DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4826-DEMO

SI4826-DEMO

Beschreibung: BOARD DEMO SI4822-A10 SI4826-A10

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4830ADY-T1-E3

SI4830ADY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4830-A20-GU

SI4830-A20-GU

Beschreibung: IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4825DY-T1-E3

SI4825DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4825-DEMO

SI4825-DEMO

Beschreibung: BOARD EVAL SI4825

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4826-A10-CUR

SI4826-A10-CUR

Beschreibung: IC RCVR AM/FM/SW MECH 24-SSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4827-DEMO

SI4827-DEMO

Beschreibung: BOARD EVAL SI4827

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4826-A10-CU

SI4826-A10-CU

Beschreibung: IC RCVR AM/FM/SW MECH 24-SSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4825DDY-T1-GE3

SI4825DDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4825-A10-CS

SI4825-A10-CS

Beschreibung: IC RCVR AM/FM/SW MECH 16-SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4825-A10-CSR

SI4825-A10-CSR

Beschreibung: IC RCVR AM/FM/SW MECH 16-SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4827-A10-CS

SI4827-A10-CS

Beschreibung: IC RCVR AM/FM/SW MECH 16-SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4823DY-T1-E3

SI4823DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsNachrichtSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.