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SI4941EDY-T1-E3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI4941EDY-T1-E3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2P-CH 30V 10A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    21 mOhm @ 8.3A, 10V
  • Leistung - max
    3.6W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    SI4941EDY-T1-E3TR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • Typ FET
    2 P-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 10A 3.6W Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    10A
  • Basisteilenummer
    SI4941
SI4936ADY-T1-GE3

SI4936ADY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4940DY-T1-E3

SI4940DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4944DY-T1-GE3

SI4944DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4936CDY-T1-E3

SI4936CDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO

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SI4946BEY-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

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SI4940DY-T1-GE3

SI4940DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

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SI4944DY-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC

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SI4933DY-T1-E3

SI4933DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

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SI4943BDY-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

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SI4943BDY-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

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SI4942DY-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC

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SI4943CDY-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

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SI4936ADY-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

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SI4943CDY-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

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SI4942DY-T1-E3

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SI4946BEY-T1-E3

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