SI4943CDY-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4943CDY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4943CDY-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.2 mOhm @ 8.3A, 10V
Leistung - max

3.1W
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4943CDY-T1-GE3DKR
Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1945pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V
Typ FET

2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A
Basisteilenummer

SI4943

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Das Folgende sind "SI4943CDY-T1-GE3" -Einziper.

SI4940DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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