Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > SI4943BDY-T1-GE3

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

4378401

SI4943BDY-T1-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

2500+

$1.04

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SI4943BDY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4943BDY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 8.4A, 10V
Leistung - max

1.1W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

15 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 5V
Typ FET

2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6.3A
Basisteilenummer

SI4943

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "SI4943BDY-T1-GE3" -Einziper.

SI4942DY-T1-GE3

SI4942DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4947ADY-T1-E3

SI4947ADY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4943CDY-T1-GE3

SI4943CDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4944DY-T1-E3

SI4944DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4946CDY-T1-GE3

SI4946CDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4942DY-T1-E3

SI4942DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4940DY-T1-E3

SI4940DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4936CDY-T1-E3

SI4936CDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4940DY-T1-GE3

SI4940DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4946BEY-T1-GE3

SI4946BEY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4944DY-T1-GE3

SI4944DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4941EDY-T1-E3

SI4941EDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 10A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4943BDY-T1-E3

SI4943BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4943CDY-T1-E3

SI4943CDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4947ADY-T1-GE3

SI4947ADY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.