SIA914DJ-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIA914DJ-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIA914DJ-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

53 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Leistung - max

6.5W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Andere Namen

SIA914DJ-T1-GE3TR
SIA914DJT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 8V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.5A
Basisteilenummer

SIA914

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Das Folgende sind "SIA914DJ-T1-GE3" -Einziper.

SIA913ADJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA914DJ-T1-GE3

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