SIA918EDJ-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIA918EDJ-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIA918EDJ-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 3A, 4.5V
Leistung - max

7.8W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Andere Namen

SIA918EDJ-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.5A (Tc)

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SIA921EDJ-T1-GE3

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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