SIB488DK-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIB488DK-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIB488DK-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SC-75-6L Single
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Verlustleistung (max)

2.4W (Ta), 13W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SC-75-6L
Andere Namen

SIB488DK-T1-GE3TR
SIB488DKT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

725pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 8V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 12V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9A (Tc)

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Das Folgende sind "SIB488DK-T1-GE3" -Einziper.

SIB455EDK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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