SIB900EDK-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIB900EDK-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIB900EDK-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SC-75-6L Dual
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Leistung - max

3.1W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SC-75-6L Dual
Andere Namen

SIB900EDK-T1-GE3TR
SIB900EDKT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.5A
Basisteilenummer

SIB900

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Das Folgende sind "SIB900EDK-T1-GE3" -Einziper.

SIB912DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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