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SIHU3N50DA-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIHU3N50DA-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

SIHU3N50DA-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

IPAK (TO-251)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (max)

69W (Tc)
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

177pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3A (Tc)

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Das Folgende sind "SIHU3N50DA-GE3" -Einziper.

SIHS90N65E-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHW30N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHP8N50D-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHU6N62E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 620V 6A TO-251

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHU3N50D-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHS20N50C-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHP8N50D-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIHU6N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHW23N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHU5N50D-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHS90N65E-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Hersteller: Vishay Siliconix

vorrätig

SIHU4N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHS36N50D-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHU3N50D-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHU5N50D-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIHP7N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIHU2N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIHU6N65E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHU7N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHU7N60E-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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