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SIHU6N65E-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIHU6N65E-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIHU6N65E-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

IPAK (TO-251)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)

78W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7A (Tc)

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Das Folgende sind "SIHU6N65E-GE3" -Einziper.

SIHW47N65E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHU6N65E-GE3

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