SIHW30N60E-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIHW30N60E-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIHW30N60E-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247AD
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

250W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-3P-3 Full Pack
Andere Namen

SIHW30N60E-GE3CT
SIHW30N60E-GE3CT-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AD
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

29A (Tc)

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Das Folgende sind "SIHW30N60E-GE3" -Einziper.

SIHU6N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIHW30N60E-GE3

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