Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SIR638DP-T1-GE3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2641163SIR638DP-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR638DP-T1-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
3000+
$0.831
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIR638DP-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.88 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    104W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Andere Namen
    SIR638DP-T1-GE3TR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    10500pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    204nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 40V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    100A (Tc)
SIR668DP-T1-RE3

SIR668DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 95A POWERPAKSO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR640ADP-T1-GE3

SIR640ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR646DP-T1-GE3

SIR646DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR668ADP-T1-RE3

SIR668ADP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR606BDP-T1-RE3

SIR606BDP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR624DP-T1-GE3

SIR624DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR638ADP-T1-RE3

SIR638ADP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR644DP-T1-GE3

SIR644DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR664DP-T1-GE3

SIR664DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR662DP-T1-GE3

SIR662DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR626DP-T1-RE3

SIR626DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR606DP-T1-GE3

SIR606DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR638DP-T1-RE3

SIR638DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR610DP-T1-RE3

SIR610DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR618DP-T1-GE3

SIR618DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR632DP-T1-RE3

SIR632DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 29A POWERPAKSO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR642DP-T1-GE3

SIR642DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR622DP-T1-GE3

SIR622DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 51.6A SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR640DP-T1-GE3

SIR640DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden