SIR664DP-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIR664DP-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIR664DP-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 20A, 10V
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Andere Namen

SIR664DP-T1-GE3TR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1750pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 60A (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

60A (Tc)

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Das Folgende sind "SIR664DP-T1-GE3" -Einziper.

SIR646DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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