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4439711SIR668ADP-T1-RE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR668ADP-T1-RE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIR668ADP-T1-RE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    104W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Andere Namen
    SIR668ADP-T1-RE3TR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3750pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    81nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 93.6A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    93.6A (Tc)
SIR642DP-T1-GE3

SIR642DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR688DP-T1-GE3

SIR688DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR664DP-T1-GE3

SIR664DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR638DP-T1-RE3

SIR638DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR668DP-T1-RE3

SIR668DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 95A POWERPAKSO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR646DP-T1-GE3

SIR646DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR690DP-T1-RE3

SIR690DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR696DP-T1-GE3

SIR696DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 125V 60A POWERPAKSO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR670DP-T1-GE3

SIR670DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR698DP-T1-GE3

SIR698DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR662DP-T1-GE3

SIR662DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR690DP-T1-GE3

SIR690DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR638DP-T1-GE3

SIR638DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR680DP-T1-RE3

SIR680DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A POWERPAKSO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR640ADP-T1-GE3

SIR640ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR67-21C/TR8

SIR67-21C/TR8

Beschreibung: EMITTER IR 875NM 65MA SMD

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
SIR692DP-T1-RE3

SIR692DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 24.2A SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR640DP-T1-GE3

SIR640DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIR638ADP-T1-RE3

SIR638ADP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIR644DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

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