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4778153SIRA20DP-T1-RE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIRA20DP-T1-RE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIRA20DP-T1-RE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SIRA20DP-T1-RE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +16V, -12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.58 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Andere Namen
    SIRA20DP-T1-RE3CT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    10850pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    200nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    25V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 25V 81.7A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    81.7A (Ta), 100A (Tc)

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SIRA50DP-T1-RE3

SIRA50DP-T1-RE3

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SIRA14DP-T1-GE3

SIRA14DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIRA16DP-T1-GE3

SIRA16DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SIRA52DP-T1-GE3

SIRA52DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

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SIRA52ADP-T1-RE3

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Beschreibung: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

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SIRA18DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

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vorrätig
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SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

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SIRA10BDP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30V

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vorrätig
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SIRA10DP-T1-GE3

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SIRA18DP-T1-RE3

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SIRA12DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

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SIRA36DP-T1-GE3

SIRA36DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

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SIRA12BDP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30V

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SIRA32DP-T1-RE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

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SIRA22DP-T1-RE3

SIRA22DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO

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SIRA06DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

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SIRA34DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

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SIRA24DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

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