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SIRA18DP-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIRA18DP-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Andere Namen
    SIRA18DP-T1-GE3TR
    SIRA18DPT1GE3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1000pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    21.5nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 33A (Tc) 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    33A (Tc)
SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIRA14DP-T1-GE3

SIRA14DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIRA50ADP-T1-RE3

SIRA50ADP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIRA20DP-T1-RE3

SIRA20DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIRA36DP-T1-GE3

SIRA36DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIRA50DP-T1-RE3

SIRA50DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIRA22DP-T1-RE3

SIRA22DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIRA18DP-T1-RE3

SIRA18DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIRA16DP-T1-GE3

SIRA16DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIRA34DP-T1-GE3

SIRA34DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

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SIRA02DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

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