SIRA12DP-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIRA12DP-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.SIRA12DP-T1-GE3.pdf
2.SIRA12DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

4.5W (Ta), 31W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Andere Namen

SIRA12DP-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2070pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 25A (Tc) 4.5W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

25A (Tc)

Das Folgende sind "SIRA12DP-T1-GE3" -Einziper.

SIRA16DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RFQ

SIRA01DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIRA24DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIRA12BDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIRA18DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIR928-6C-F

Beschreibung: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Hersteller: Everlight Electronics

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RFQ

SIRA04DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RFQ

SIRA22DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIRA10BDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RFQ

SIRA10DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIRA18ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SIRA26DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIRA06DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SIRA18DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SIRA00DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIRA20DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SIRA32DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SIRA00DP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RFQ

SIRA14DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIRA02DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

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