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6507949SIUD402ED-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIUD402ED-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIUD402ED-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    SIUD402ED-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® 0806
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    730 mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    1.25W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® 0806
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    16pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.2nC @ 8V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 20V 1A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    1A (Ta)

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Das Folgende sind "SIUD402ED-T1-GE3" -Einziper.
HUF76423D3S

HUF76423D3S

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRFD420

IRFD420

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AUIRFR3710Z

AUIRFR3710Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
PSMN1R4-40YLDX

PSMN1R4-40YLDX

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
IPI024N06N3GHKSA1

IPI024N06N3GHKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRF3808STRLPBF

IRF3808STRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
IRF8714PBF

IRF8714PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIUD412ED-T1-GE3

SIUD412ED-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AON6532

AON6532

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 27A 8DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
SIUD403ED-T1-GE3

SIUD403ED-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 500MA PWRPAK0806

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRF6218STRLPBF

IRF6218STRLPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
CSD25402Q3A

CSD25402Q3A

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 76A 8SON

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
ZVN0540ASTOA

ZVN0540ASTOA

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
NTMFS4C302NT1G

NTMFS4C302NT1G

Beschreibung: NFET SO8FL 30V 1.15MO

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STV160NF03LAT4

STV160NF03LAT4

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
IRFR3710ZTRPBF

IRFR3710ZTRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
TSM150NB04LCR RLG

TSM150NB04LCR RLG

Beschreibung: MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
IXKG25N80C

IXKG25N80C

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 25A ISO264

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
HUFA75339S3S

HUFA75339S3S

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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