SIUD403ED-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIUD403ED-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 500MA PWRPAK0806
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIUD403ED-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 0806
Serie

TrenchFET® Gen III
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.25 Ohm @ 300mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.25W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 0806
Andere Namen

SIUD403ED-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

31pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 500mA (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

500mA (Ta)

Das Folgende sind "SIUD403ED-T1-GE3" -Einziper.

BUK7516-55A,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 65.7A TO220AB

Hersteller: Nexperia

vorrätig

RFQ

FQD11P06TF

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

SPP11N80C3XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

MCH3333A-TL-H

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2A MCPH3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

SI5402DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

RSH065N06TB1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 6.5A SOP8

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFQ

SIUD402ED-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

AO4419

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

RFQ

IXFC22N60P

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RFQ

IXTR48P20P

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RFQ

IRF2805STRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

NVMFS6B05NWFT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

BSS87E6327

Beschreibung: MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

SI1305EDL-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SIUD412ED-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI8457DB-T1-E1

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V MICROFOOT

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

IXTP1N80

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RFQ

AON6442

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 22A DFN5X6

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

RFQ

AOB2500L

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 11.5A TO263

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

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IXFM42N20

Beschreibung: POWER MOSFET TO-3

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

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BSS87E6327

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AOB2500L

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