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1633734SIUD412ED-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIUD412ED-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIUD412ED-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SIUD412ED-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® 0806
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    340 mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    1.25W (Ta)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® 0806
  • Andere Namen
    SIUD412ED-T1-GE3DKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    21pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.71nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    12V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 12V 500mA (Tc) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    500mA (Tc)

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Das Folgende sind "SIUD412ED-T1-GE3" -Einziper.
IXTK140N20P

IXTK140N20P

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 140A TO-264

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
SI6465DQ-T1-E3

SI6465DQ-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BUK954R4-40B,127

BUK954R4-40B,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
AUIRFR8401

AUIRFR8401

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
TSM2308CX RFG

TSM2308CX RFG

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
IPB120N08S404ATMA1

IPB120N08S404ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SBSS84LT1G

SBSS84LT1G

Beschreibung: MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BUK626R2-40C,118

BUK626R2-40C,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
FQI5N40TU

FQI5N40TU

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQU1N80TU

FQU1N80TU

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXFN180N25T

IXFN180N25T

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
AON6782

AON6782

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 24A DFN5X6

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
IPA50R500CE

IPA50R500CE

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220FP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIUD402ED-T1-GE3

SIUD402ED-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BSD816SNH6327XTSA1

BSD816SNH6327XTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDB20N50F

FDB20N50F

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SIUD403ED-T1-GE3

SIUD403ED-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 500MA PWRPAK0806

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IXTA220N075T7

IXTA220N075T7

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 220A TO-263-7

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
FDB86360-F085

FDB86360-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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