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SQ9945BEY-T1_GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SQ9945BEY-T1_GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SQ9945BEY-T1_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    64 mOhm @ 3.4A, 10V
  • Leistung - max
    4W
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    SQ9945BEY-T1_GE3DKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    470pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.4A 4W Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    5.4A

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Das Folgende sind "SQ9945BEY-T1_GE3" -Einziper.
ZXMN10A08DN8TC

ZXMN10A08DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
CSD87331Q3D

CSD87331Q3D

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
JANTXV2N7334

JANTXV2N7334

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
NDS9925A

NDS9925A

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF7509TR

IRF7509TR

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SQ9945AEY-T1-E3

SQ9945AEY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7218DN-T1-GE3

SI7218DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AO4826

AO4826

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 6.3A 8-SOIC

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
QS8M11TCR

QS8M11TCR

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BUK7K8R7-40EX

BUK7K8R7-40EX

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
IRF5810

IRF5810

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
APTML502UM90R020T3AG

APTML502UM90R020T3AG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 52A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
FDMC8032L

FDMC8032L

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SIZ916DT-T1-GE3

SIZ916DT-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
STZD3155CT1G

STZD3155CT1G

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 540MA SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI7940DP-T1-GE3

SI7940DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
QS8J4TR

QS8J4TR

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SQ9407EY-T1_GE3

SQ9407EY-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TSM680P06DPQ56 RLG

TSM680P06DPQ56 RLG

Beschreibung: MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
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