SQ9407EY-T1_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQ9407EY-T1_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SQ9407EY-T1_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (max)

3.75W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SQ9407EY-T1_GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1140pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 4.6A (Tc) 3.75W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.6A (Tc)

Das Folgende sind "SQ9407EY-T1_GE3" -Einziper.

SIRA00DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RFQ

AON6410

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

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5LN01SS-TL-H

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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RFQ

SIA810DJ-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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IRL3103PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

IRF40B207

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 95A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

SUD50N03-06P-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 84A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

IRFR9120NTRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

NTMFS4927NT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 38A SO-8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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NTD5865N-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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FDP083N15A-F102

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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RFQ

IRF1324SPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 24V 195A D2-PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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RFQ

NTD80N02-001

Beschreibung: MOSFET N-CH 24V 80A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

SQ9945BEY-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RFQ

2SK3466(TE24L,Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5A SC-97

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

IRFPG30PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

IPB65R310CFDAATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

STP5N95K5

Beschreibung: MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

RFQ

SQ9945AEY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RFQ

IXTT20P50P

Beschreibung: MOSFET P-CH 500V 20A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

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SIA810DJ-T1-E3

IRL3103PBF

IRF40B207

SUD50N03-06P-E3

IRFR9120NTRPBF

NTMFS4927NT3G

NTD5865N-1G

FDP083N15A-F102

IRF1324SPBF

NTD80N02-001

SQ9945BEY-T1_GE3

2SK3466(TE24L,Q)

IRFPG30PBF

IPB65R310CFDAATMA1

STP5N95K5

SQ9945AEY-T1-E3

IXTT20P50P

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