SQD07N25-350H_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQD07N25-350H_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

SQD07N25-350H_GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252AA
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

350 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

71W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1205pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

250V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 250V 7A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7A (Tc)

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Das Folgende sind "SQD07N25-350H_GE3" -Einziper.

SQD23N06-31L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 23A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD07N25-350H_GE3

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