Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SQD07N25-350H_GE3

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

2552159

SQD07N25-350H_GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SQD07N25-350H_GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

2000+

$0.696

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SQD07N25-350H_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

SQD07N25-350H_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252AA
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

350 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

71W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1205pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

250V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 250V 7A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "SQD07N25-350H_GE3" -Einziper.

SQD23N06-31L_GE3

SQD23N06-31L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 23A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD100N03-3M2L_GE3

SQD100N03-3M2L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD25N06-22L_GE3

SQD25N06-22L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 25A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD25N15-52_GE3

SQD25N15-52_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 25A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40061EL_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 40V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40030E_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD100N04-3M6L_GE3

SQD100N04-3M6L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD100N03-3M4_GE3

SQD100N03-3M4_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD100N02-3M5L_GE3

SQD100N02-3M5L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD10N30-330H_GE3

SQD10N30-330H_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40131EL_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40081EL_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 40V TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD19P06-60L_GE3

SQD19P06-60L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 20A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD19P06-60L_T4GE3

SQD19P06-60L_T4GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD35N05-26L-GE3

SQD35N05-26L-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD15N06-42L_GE3

SQD15N06-42L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 15A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD100N04-3M6_GE3

SQD100N04-3M6_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD30N05-20L_GE3

SQD30N05-20L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40031EL_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD25N06-22L_T4GE3

SQD25N06-22L_T4GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.