Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SQD40061EL_GE3

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

7034744

SQD40061EL_GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SQD40061EL_GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

2000+

$0.696

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SQD40061EL_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CHAN 40V
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SQD40061EL_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252AA
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.1 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

107W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

SQD40061EL_GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 40V 100A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

AMD startet den Bau der zweiten Phase des Bangalore Design ...

Die NVIDIA RTX 5090 -Grafikkarte hat eine GPU -Fläche von ...

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "SQD40061EL_GE3" -Einziper.

SQD30N05-20L_GE3

SQD30N05-20L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD35N05-26L-GE3

SQD35N05-26L-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40081EL_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 40V TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD45N05-20L-GE3

SQD45N05-20L-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD25N06-22L_T4GE3

SQD25N06-22L_T4GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 100V TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40N10-25_GE3

SQD40N10-25_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD23N06-31L_GE3

SQD23N06-31L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 23A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD25N06-22L_GE3

SQD25N06-22L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 25A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40N06-25L-GE3

SQD40N06-25L-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40N06-14L_GE3

SQD40N06-14L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 40A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD19P06-60L_GE3

SQD19P06-60L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 20A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40030E_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40131EL_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40031EL_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD50N04-09H-GE3

SQD50N04-09H-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD19P06-60L_T4GE3

SQD19P06-60L_T4GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD45P03-12_GE3

SQD45P03-12_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 50A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD50N04-4M5L_GE3

SQD50N04-4M5L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD25N15-52_GE3

SQD25N15-52_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 25A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.