SQD40P10-40L_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQD40P10-40L_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SQD40P10-40L_GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 8.2A, 10V
Verlustleistung (max)

136W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

SQD40P10-40L_GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5540pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

144nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 100V 38A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

38A (Tc)

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Das Folgende sind "SQD40P10-40L_GE3" -Einziper.

SQD50N04-5M6_T4GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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