SQJ504EP-T1_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQJ504EP-T1_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SQJ504EP-T1_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8 Dual
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5 mOhm @ 8A, 10V, 17 mOhm @ 8A, 10V
Leistung - max

34W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

SQJ504EP-T1_GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V, 85nC @ 10V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 40V 30A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

30A (Tc)

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