SQJ858AEP-T1_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQJ858AEP-T1_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SQJ858AEP-T1_GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3 mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (max)

48W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Andere Namen

SQJ858AEP-T1-GE3
SQJ858AEP-T1-GE3-ND
SQJ858AEP-T1_GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2450pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 58A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

58A (Tc)

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Das Folgende sind "SQJ858AEP-T1_GE3" -Einziper.

SQJ504EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQJ858AEP-T1_GE3

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