SQJ844AEP-T1_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQJ844AEP-T1_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SQJ844AEP-T1_GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8 Dual
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.6 mOhm @ 7.6A, 10V
Leistung - max

48W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8 Dual
Andere Namen

SQJ844AEP-T1-GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1161pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A

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Das Folgende sind "SQJ844AEP-T1_GE3" -Einziper.

SQJ500EP

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 40V DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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