SUD42N03-3M9P-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SUD42N03-3M9P-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 42A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SUD42N03-3M9P-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 22A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

SUD42N03-3M9P-GE3-ND
SUD42N03-3M9P-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3535pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 42A (Tc) 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Surface Mount TO-252
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

42A (Tc)

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SUD45P03-10-E3

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SUD42N03-3M9P-GE3

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