SUD50N02-09P-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SUD50N02-09P-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SUD50N02-09P-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252, (D-Pak)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

SUD50N02-09P-E3DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 6.5W (Ta), 39.5W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

-

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Das Folgende sind "SUD50N02-09P-E3" -Einziper.

SUD40N10-25-T4-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SUD50N02-09P-E3

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