Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > US1D-E3/5AT
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6996334US1D-E3/5AT-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

US1D-E3/5AT

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
5+
$0.069
50+
$0.06
150+
$0.055
500+
$0.052
2500+
$0.049
7500+
$0.048
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    US1D-E3/5AT
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    US1D-E3/5AT-ND
    US1D-E3/5ATGITR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    US1D
US1DHE3_A/H

US1DHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1BHE3_A/H

US1BHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1D-13-F

US1D-13-F

Beschreibung:

Hersteller: DIODES
vorrätig
US1D/1

US1D/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1D-M3/61T

US1D-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1BHE3/61T

US1BHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1DHE3/61T

US1DHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1BHE3/5AT

US1BHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1DHE3/5AT

US1DHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1D-TP

US1D-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
US1D M2G

US1D M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
US1D-M3/5AT

US1D-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1DFA

US1DFA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
US1BHR3G

US1BHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
US1BHE3_A/I

US1BHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1D-E3/61T

US1D-E3/61T

Beschreibung:

Hersteller: VISHAY
vorrätig
US1DHE3_A/I

US1DHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1BHM2G

US1BHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
US1D R3G

US1D R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
US1D-13

US1D-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden