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13938991N8030-GA-Bild.GeneSiC Semiconductor

1N8030-GA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N8030-GA
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N8030-GA.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.39V @ 750mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    650V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-257
  • Geschwindigkeit
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    0ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-257-3
  • Andere Namen
    1242-1117
    1N8030GA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 250°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Silicon Carbide Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 750mA Through Hole TO-257
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 650V
  • Strom - Richt (Io)
    750mA
  • Kapazität @ Vr, F
    76pF @ 1V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N8030

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1N8149

1N8149

Beschreibung: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N821AUR

1N821AUR

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N8035-GA

1N8035-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N821A (DO35)

1N821A (DO35)

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N8034-GA

1N8034-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N8026-GA

1N8026-GA

Beschreibung: DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N8028-GA

1N8028-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N8182

1N8182

Beschreibung: TVS DIODE 170V 294V A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N821-1

1N821-1

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N822

1N822

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N821A, SEL. 1% VBR

1N821A, SEL. 1% VBR

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N8031-GA

1N8031-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N821UR-1

1N821UR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N8033-GA

1N8033-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N821A

1N821A

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N8024-GA

1N8024-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N8032-GA

1N8032-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N821AUR-1

1N821AUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N821

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Beschreibung: DIODE ZENER DO35

Hersteller: Microsemi
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1N8165US

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Beschreibung: TVS DIODE 33V 53.6V

Hersteller: Microsemi
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