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42381181N8031-GA-Bild.GeneSiC Semiconductor

1N8031-GA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N8031-GA
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N8031-GA.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Silicon Carbide Schottky
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1A
  • Spannung - Durchschlag
    TO-276
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Tube
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    76pF @ 1V, 1MHz
  • Polarisation
    TO-276AA
  • Andere Namen
    1242-1118
    1N8031GA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    0ns
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    1N8031-GA
  • Expanded Beschreibung
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 1A Through Hole TO-276
  • Diodenkonfiguration
    5µA @ 650V
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.5V @ 1A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    650V
  • Kapazität @ Vr, F
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Das Folgende sind "1N8031-GA" -Einziper.
1N8033-GA

1N8033-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N8034-GA

1N8034-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N8035-GA

1N8035-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N8032-GA

1N8032-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N821UR-1

1N821UR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N8024-GA

1N8024-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N821A, SEL. 1% VBR

1N821A, SEL. 1% VBR

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N8028-GA

1N8028-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N821AUR-1

1N821AUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N8182

1N8182

Beschreibung: TVS DIODE 170V 294V A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N821AUR

1N821AUR

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N8149

1N8149

Beschreibung: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N8030-GA

1N8030-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N821

1N821

Beschreibung: DIODE ZENER DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N8165US

1N8165US

Beschreibung: TVS DIODE 33V 53.6V

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N822

1N822

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N821-1

1N821-1

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N821A

1N821A

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N8026-GA

1N8026-GA

Beschreibung: DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N821A (DO35)

1N821A (DO35)

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
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