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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > MURT10060

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1789743

MURT10060-Bild.

GeneSiC Semiconductor

MURT10060

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vorrätig

50+

$59.119

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

MURT10060
Hersteller / Marke

GeneSiC Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.MURT10060.pdf
2.MURT10060.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 100A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

600V
Supplier Device-Gehäuse

Three Tower
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

75ns
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

Three Tower
Andere Namen

MURT10060GN
Betriebstemperatur - Anschluss

-40°C ~ 175°C
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
Diodenkonfiguration

-
detaillierte Beschreibung

Diode Array Standard 600V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

25µA @ 50V
Strom - Richt (Io) (pro Diode)

100A (DC)

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Das Folgende sind "MURT10060" -Einziper.

MURT20005R

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT20010R

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURS480ET3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 4A SMC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

MURT10010

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT10005R

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT20060

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT10020R

Beschreibung: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT20010

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURS3JB-TP

Beschreibung: 3A,600V, SUPER FAST RECOVERY REC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

MURT10020

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT20020R

Beschreibung: DIODE MODULE 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT20040

Beschreibung: DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT20020

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT20005

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT10040R

Beschreibung: DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT20040R

Beschreibung: DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT10040

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT10005

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT10060R

Beschreibung: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT10010R

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

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